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固態(tài)硬盤(pán)和u盤(pán)區(qū)別
固態(tài)硬盤(pán)和U盤(pán)的區(qū)別，第一，主控算法不一樣，固態(tài)硬盤(pán)的速度數(shù)十倍的高于U盤(pán)。第二，壽命極大的延長(zhǎng)。第三，可以同時(shí)讀和寫(xiě)。U盤(pán)容易丟失數(shù)據(jù)的原因是因?yàn)閁SB設(shè)備經(jīng)常插拔與不同的主機(jī)之間，不正確的插拔操作，USB接口的電壓的不穩(wěn)定，系統(tǒng)問(wèn)題造成錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)寫(xiě)入等都是造成U盤(pán)故障頻發(fā)的原因，而固態(tài)硬盤(pán)是安置于主機(jī)內(nèi)部，使用的SATA接口，處于一個(gè)很安全和穩(wěn)定的環(huán)境下，因此不會(huì)像U盤(pán)一樣容易發(fā)生故障丟失數(shù)據(jù)。
下面簡(jiǎn)單的科普一下：
第一，主控算法不一樣
固態(tài)硬盤(pán)采用的是一種特殊的算法，這個(gè)算法每個(gè)廠家都不一樣，而且是封裝在主控芯片里的。
通過(guò)這個(gè)算法，可以使數(shù)據(jù)平均分配到固態(tài)硬盤(pán)里的每片flash上，在提高速度的同時(shí)，也極大的延長(zhǎng)了flash的壽命。更為高效的算法可以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行高速壓縮讀寫(xiě)，尤其是讀取速度可以達(dá)到很高，更為高效的算法可能速度平平，但是卻能極大延長(zhǎng)FALSH芯片的壽命，一般固態(tài)硬盤(pán)正常使用的話(huà)3-5年問(wèn)答不大。
第二，壽命極大的延長(zhǎng)
U盤(pán)故障頻發(fā)也是因?yàn)橐话鉛盤(pán)一般也就是一片F(xiàn)LASH芯片，多的兩片芯片，反復(fù)對(duì)一片芯片上相同存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元會(huì)加速芯片的老化，而固態(tài)硬盤(pán)上芯片遠(yuǎn)不止一片，兩片，而是高達(dá)數(shù)十片芯片，通過(guò)主控的協(xié)調(diào)，將數(shù)據(jù)不同分?jǐn)偟讲煌酒M(jìn)行操作，平衡每一片芯片的使用量，無(wú)形中疊加了所有芯片的讀寫(xiě)次數(shù)極大的延長(zhǎng)了穩(wěn)定工作的時(shí)間。
第三，可以同時(shí)讀和寫(xiě)
這個(gè)不用我多說(shuō)，不信你試試，同時(shí)從硬盤(pán)拷貝一個(gè)文件到U盤(pán)和從U盤(pán)拷貝一個(gè)文件到硬盤(pán)上的速度，相對(duì)于你單獨(dú)拷貝文件到U盤(pán)或者硬盤(pán)的速度要慢很多，因?yàn)�，F(xiàn)LASH芯片相同的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)同一時(shí)間只能進(jìn)行讀或者寫(xiě)這單一操作。FLASH讀寫(xiě)數(shù)據(jù)是靠電壓的變化來(lái)完成的，讀要一個(gè)電壓，寫(xiě)要一個(gè)電壓，不可能同時(shí)產(chǎn)生2種電壓的，但如果有很多芯片，數(shù)據(jù)是分散開(kāi)來(lái)的那么對(duì)于一個(gè)芯片組合來(lái)說(shuō)同時(shí)讀寫(xiě)就是可能的。
補(bǔ)充：
U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)結(jié)構(gòu)原理是一樣的，主控芯片+FLASH存儲(chǔ)芯片，但U盤(pán)的主控芯片屬于精簡(jiǎn)版的。取消了sata控制器，但是保留有zif（ce），esata，usb等移動(dòng)設(shè)備通用的控制器。據(jù)說(shuō)對(duì)于尋址能力也簡(jiǎn)化了，目前最多只能做到8片F(xiàn)LASH芯片。而固態(tài)硬盤(pán)的主控芯片少則支持16片F(xiàn)LASH芯片，多則達(dá)到32片F(xiàn)LASH芯片，甚至更多。
另外相同品牌和系列的固態(tài)硬盤(pán)通常存在一種情況，容量越大，速度越快。因?yàn)槿缟衔�，一塊主控芯片控制16或32片F(xiàn)LASH芯片進(jìn)行同時(shí)的讀寫(xiě)操作，類(lèi)似機(jī)械硬盤(pán)的陣列概念。
U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)速度為何差這么大?
就目前而言，現(xiàn)在采用USB 3.0甚至USB 3.1接口的U盤(pán)不在少數(shù)，高端U盤(pán)甚至都突破了300MB/S的讀寫(xiě)速度，U盤(pán)能有這樣的成績(jī)看起來(lái)很不錯(cuò)，但是相比較SSD還是有著不少的差距(較老的SSD就不要做比較了)。那么都是閃存為什么U盤(pán)和SSD的差距還是相差的這么大呢?
主控存在差異
U盤(pán)不僅有主控而且分為兩大類(lèi)主控，第一種：就是普通的USB主控，直通閃存顆粒，通過(guò)USB主控芯片控制，這種U盤(pán)通常性能都不會(huì)超過(guò)100MB/s的讀寫(xiě)速度，像這種主控類(lèi)型的U盤(pán)位寬都在8-16bit，性能也就上不去了。
另一種就是采用SSD主控，多常見(jiàn)于高端U盤(pán)上，SATA的接口通過(guò)USB轉(zhuǎn)接而形成的。不少SSD主控芯片其實(shí)是32bit精簡(jiǎn)指令集處理器架構(gòu)以上的運(yùn)算單元，可以在很多移動(dòng)設(shè)備上看到。
說(shuō)到這大家多少還是明白了高端優(yōu)盤(pán)和普通優(yōu)盤(pán)背后價(jià)格和速度的不同。既然高端U盤(pán)同樣采用SSD主控芯片，那么為什么存取速度還是比不上固態(tài)硬盤(pán)呢?比不上SSD主要有兩點(diǎn)在制約它，當(dāng)高端U盤(pán)通過(guò)SATA的接口轉(zhuǎn)接USB的時(shí)候這會(huì)一定程度上損失部分讀寫(xiě)性能，從USB 3.0升級(jí)到了USB 3.1接口還是能挽回一點(diǎn)性能。
壓縮和非壓縮算法
U盤(pán)主控算法有兩種壓縮和非壓縮算法，最大區(qū)別在于寫(xiě)入放大比率不同。壓縮算法主控對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行識(shí)別，處理器針對(duì)“壓縮型數(shù)據(jù)”實(shí)行一定比例壓縮，然后將壓縮好的數(shù)據(jù)寫(xiě)進(jìn)閃存，有利于降低閃存的數(shù)據(jù)寫(xiě)入量;而非壓縮算法主控則不區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)類(lèi)型，對(duì)閃存直接寫(xiě)入數(shù)據(jù)，加快了閃存的壽命。
壓縮和非壓縮兩種算法均有利弊，壓縮算法有利于延長(zhǎng)閃存的使用壽命，面對(duì)壓縮數(shù)據(jù)時(shí)讀寫(xiě)性能相對(duì)更有優(yōu)勢(shì)，不過(guò)讀寫(xiě)非壓縮數(shù)據(jù)時(shí)性能就不太好。反觀非壓縮性算法，它兼顧著壓縮和非壓縮數(shù)據(jù)都保持穩(wěn)定的性能，但對(duì)于閃存品質(zhì)有著較高的要求，這種非壓縮性算法一般不會(huì)出現(xiàn)在容量小的SSD或者U盤(pán)這類(lèi)儲(chǔ)存器上，因?yàn)樵O(shè)備讀寫(xiě)次數(shù)并不能支撐本身這么高的讀寫(xiě)速度。
絕大多數(shù)高性能U盤(pán)的都不會(huì)低于64GB-1TB容量，大容量支持了非壓縮性算法主控，從而在非壓縮算法下實(shí)現(xiàn)好的性能。轉(zhuǎn)換和主控這兩個(gè)屏障顯然讓USB接口U盤(pán)追上SSD的速度成為不太現(xiàn)實(shí)的想法，不過(guò)都同屬存儲(chǔ)器，想要速度用SSD存儲(chǔ)也行。
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